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MA5114

Radiationhard1024x4BitStaticRAM

TheMA51144kStaticRAMisconfiguredas1024x4bitsandmanufacturedusingCMOS-SOShighperformance,radiationhard,3μmtechnology. Thedesignusesa6transistorcellandhasfullstaticoperationwithnoclockortimingstroberequired.AddressinputbuffersaredeselectedwhenChipSelec

Dynex

Dynex Semiconductor

MGATE5114

1-portModbusRTU/ASCII/TCP/IEC101-to-IEC104gateways

moxaMOXA

臺(tái)灣摩莎摩莎科技(上海)有限公司

MGATE5114-T

1-portModbusRTU/ASCII/TCP/IEC101-to-IEC104gateways

moxaMOXA

臺(tái)灣摩莎摩莎科技(上海)有限公司

M-LB-5114

ProtectionModule

PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd

倍加福倍加福(北京)過程自動(dòng)化控制設(shè)備有限公司

M-LB-EX-5114

ProtectionModule

PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd

倍加福倍加福(北京)過程自動(dòng)化控制設(shè)備有限公司

MLD5114

LIMITERDIODES

AMMSEMIAmerican Microsemiconductor

美國微半導(dǎo)體有限公司

MMDT5114W

PNPSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

MTL5114P

SWITCH/PROXIMITYDETECTORINTERFACE

WiththeMTL5113P/5114P,afail-safeswitch/proximitydetectorlocatedinthehazardousareacancontrolanisolatedfail-safeelectronicoutput.TheMTL5113Punitsprovideline-faultdetectionalarmcontacts.TheMTL5113PandMTL5114PareforusewithP+FTüVapprovedfail-safesensors.

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

MUN5114

DigitalTransistors(BRT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MUN5114

BiasResistorTransistor

BiasResistorTransistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolit

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    LM5114BSD/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4V ~ 12.6V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.3A,7.6A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    82ns,12.5ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-WSON(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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