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L2801

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

15.0WattsSingleEndedPackageStyleS02 HIGHEFFICIENCY,LINEAR HIGHGAIN,LOWNOISE GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM

Polyfet

Polyfet RF Devices

L2801_14

RF POWER LDMOS TRANSISTOR

Polyfet

Polyfet RF Devices

LNA2801L

GaAlAsonGaAsInfraredLightEmittingDiode

GaAlAsonGaAsInfraredLightEmittingDiode Foropticalcontrolsystems Features ●High-poweroutput,high-efficiency:Ie=6mW/sr(min.) ●Emittedlightspectrumsuitedforsiliconphotodetectors ●Goodradiantpoweroutputlinearitywithrespecttoinputcurrent ●?3plasticpackage

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

LNA2801L

SampleProgram(RemoteControlTransmission/Reception)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

LP2801CL

Non-IsolatIonControlDrive

LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.

芯茂微深圳市芯茂微電子有限公司

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更多L2801供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 18:45:00

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