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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.1A ●RDS(ON)52m(VGS=-10V) ●RDS(ON)87m(VGS=-4.5V) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
LM3407350mA,ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverter | TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI1 | ||
350mA,ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverterforHighPowerLEDs | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
350mA,ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverterforHighPowerLEDs | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
EvaluationBoardReferenceDesign | TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI1 | ||
ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverterforHighPowerLEDs | TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI1 | ||
P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
P-ChannelSuperEnhancementModeMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTranslstor | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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