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JS28F00AP30EF

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F00AP30EF

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F00AP30EF0

Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

JS28F00AP30EFA

Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

JS28F00AP30TF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

JS28F00AP30TF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

PC28F00AP30BF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

PC28F00AP30BF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

PC28F00AP30EF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

PC28F00AP30EF

MicronParallelNORFlashEmbeddedMemory(P30-65nm)

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    JS28F00AP30EF

  • 功能描述：

    IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    Axcell™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    576

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    閃存

  • 存儲器類型：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512M（64M x 8）

  • 速度：

    -

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-TSOP

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    497-5040

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICRON
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TSOP56
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受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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美光專營原裝正品
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Micron Technology Inc.
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56-TSOP(14x20)
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更多JS28F00AP30EF供應(yīng)商 更新時間2025-5-29 14:22:00

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