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ISL9V5045S3ST-F085C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

ISL9V5045S3ST-F085C
廠商型號(hào)

ISL9V5045S3ST-F085C
參數(shù)屬性

ISL9V5045S3ST-F085C 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
功能描述

ECOSPARK Ignition IGBT 500 mJ, 450 V, N-Channel Ignition IGBT
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

1.22966 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-16 22:59:00
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ISL9V5045S3ST-F085C規(guī)格書詳情

ISL9V5045S3ST-F085C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ISL9V5045S3ST-F085C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? SCIS Energy = 500 mJ at TJ = 25°C

? Logic Level Gate Drive

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? Automotive Ignition Coil Driver Circuits

? High Current Ignition System

? Coil on Plug Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ISL9V5045S3ST-F085C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    EcoSPARK?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 4V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/10.8μs

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK-3（TO-263-3）

  • 描述：

    ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
12048
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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Intersil
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原裝
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