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ISL9V3040S3ST分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

ISL9V3040S3ST
廠商型號(hào)

ISL9V3040S3ST

參數(shù)屬性

ISL9V3040S3ST 封裝/外殼為T(mén)O-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 430V 21A TO263AB

功能描述

ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N?Channel Ignition IGBT
IGBT 430V 21A TO263AB

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

3.91689 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-23 9:44:00

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ISL9V3040S3ST規(guī)格書(shū)詳情

ISL9V3040S3ST屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ISL9V3040S3ST晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

General Description

The ISL9V3040D3S, ISL9V3040S3S, and ISL9V3040P3 are the

next generation ignition IGBTs that offer outstanding SCIS capability

in the space saving D?Pak (TO?252), as well as the industry standard

D2?Pak (TO?263), and TO?262 and TO?220 plastic packages. This

device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically

as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the

need for external components.

ECOSPARK devices can be custom made to specific clamp

voltages. Contact your nearest onsemi sales office for more

information.

Formerly Developmental Type 49362.

Features

? Space Saving D?Pak Package Availability

? SCIS Energy = 300 mJ at TJ = 25°C

? Logic Level Gate Drive

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These are Pb?Free Devices

Applications

? Automotive Ignition Coil Driver Circuits

? Coil?On Plug Application

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ISL9V3040S3ST

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    EcoSPARK?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    -/4.8μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 430V 21A TO263AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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