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ISL6613AIB-T

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

Intersil Corporation

ISL6613AIBZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul

Intersil

Intersil Corporation

ISL6613AIBZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

Intersil Corporation

ISL6613AIBZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

TheISL6612AandISL6613AarehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcom

Intersil

Intersil Corporation

ISL6613AIBZ

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL6613AIBZ-T

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

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AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISL6613AIR

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

Intersil

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ISL6613AIR

AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP

VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ISL6613ACRZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    10-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-DFN（3x3）

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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