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IRGPS40B120UDP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRGPS40B120UDP |
參數(shù)屬性 | IRGPS40B120UDP 封裝/外殼為TO-274AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 80A 595W SUPER247 |
功能描述 | IGBT |
封裝外殼 | TO-274AA |
文件大小 |
349.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-23 10:44:00 |
人工找貨 | IRGPS40B120UDP價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRGPS40B120UDP規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics
· Low Diode VF
· Low EMI
APPLICATIONS
· Industrial Power Supplies
· Inductivecooking
· Softswitchingapplications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRGPS40B120UDP
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.7V @ 15V,50A
- 開關(guān)能量:
1.4mJ(開),1.65mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 測試條件:
600V,40A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-274AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SUPER-247?(TO-274AA)
- 描述:
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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