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IRGP30B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP30B60KD
廠商型號(hào)

IRGP30B60KD
參數(shù)屬性

IRGP30B60KD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 304W TO247AD
功能描述

NPT IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

303.2 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-23 14:51:00
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IRGP30B60KD規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Diode VF

· 10μs Short Circuit Capability

· Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics

APPLICATIONS

· Low EMI

· Rugged Transient Performance

· Benchmark Efficiency for Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGP30B60KD-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    350μJ（開），825μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    46ns/185ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 304W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
25+23+
TO247
75254
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon
23+
IGBT
5864
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
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IR
1923+
TO-247
5000
正品原裝品質(zhì)假一賠十
 詢價(jià)
IR
24+
TO-247-3
100
詢價(jià)
IR
23+
TO-247A
53152
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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IR
23+
TO-247
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