首頁>IRGIB10B60KD1P>詳情

IRGIB10B60KD1P_NSC/美國國家半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 600V Low-Vceon正納電子一部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    IRGIB10B60KD1P

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NA

  • 庫存數(shù)量：

    26094

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-6-29 10:46:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IRGIB10B60KD1P品牌：NA

10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè)

  • 芯片型號：

    IRGIB10B60KD1P

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    453.78 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    IRGIB10B60KD1P

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V Low-Vceon

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318

相近型號