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IRG4BC30UDPBF

ULTRAFASTCOPACKIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30UPBF

UltraFastSpeedIGBT

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Bene

IRF

International Rectifier

IRG4BC30US

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Generati

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Generati

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage ?Lead-Free Benefit

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50%reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30KD-STRR

  • 功能描述：

    IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標準

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
Infineon Technologies
21+
D2PAK
800
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
 詢價
INFINEON
1503+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
IR
11+
TO-263
800
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
 詢價
Infineon Technologies
2022+
D2PAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IR
22+
D2PAK
6000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價
更多IRG4BC30KD-STRR供應商 更新時間2025-6-28 9:03:00

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