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IRG4BC30FD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultral

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra

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International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generatio

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International Rectifier

IRG4BC30FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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International Rectifier

IRG4BC30F-STRLP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4BC30K

FitRate/EquivalentDeviceHours

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International Rectifier

IRG4BC30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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IRG4BC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30FD-S

  • 功能描述：

    IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IR
2021+
TO-263
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
IR
24+
TO-263
5
詢價(jià)
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
05+
原廠原裝
50051
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
23+
D2-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
2020+
TO263
5000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
IR
23+
TO-263
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!
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20+
TO220
20500
汽車電子原裝主營-可開原型號增稅票
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IR
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80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
更多IRG4BC30FD-S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-2 14:00:00

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