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IRFP044N

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP044N

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP044N

55V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-247AC 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進的品質(zhì)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFP044NPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP044NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFP044NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    TO-247

  • VDS?max：

    55.0V

  • RDS (on)?max：

    20.0m?

  • RDS (on)(@10V)?max：

    20.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    35.0A

  • ID (@ TC=100°C)?max：

    35.0A

  • ID (@ TC=25°C)?max：

    49.0A

  • Ptot?max：

    100.0W

  • QG?：

    40.7nC?

  • Mounting?：

    THT

  • Tj?max：

    175.0°C

  • Qgd?：

    16.0nC?

  • VGS?max：

    20.0V

  • RthJC?max：

    1.5K/W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFP044N供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:16:00

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