IRFD110中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFD110 |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
132.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-24 16:15:00 |
| 人工找貨 | IRFD110價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFD110規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching and Ease of Paralleling
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFD110
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
DIP-4 |
5000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價(jià) | ||
22+ |
5000 |
詢價(jià) | |||||
IR(國(guó)際整流器) |
24+ |
N/A |
18048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
新 |
67 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IRFD110 |
1850 |
1850 |
詢價(jià) | ||||
IR |
22+23+ |
DIP |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
DIP |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
DIP |
3680 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
DIP |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
IR |
NA |
8560 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) |
