IRF8313中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF8313 |
| 功能描述 | 30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOP-8 |
| 文件大小 |
2.16288 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
EVVOSEMI【翊歐】 |
| 中文名稱 | 翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-28 18:00:00 |
| 人工找貨 | IRF8313價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF8313規(guī)格書詳情
General Description
The is the highest performance trench
N-ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the small power switching and
load switch applications. The meet the RoHS and
Product requirement with full function reliability approved.
General Features
RDS(ON)< 13mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=4.5V
VDS = 30V ID = 9A
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF8313
- 功能描述：
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價(jià) | |||
IR |
2018+ |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | |||
IR/國(guó)際整流器 |
24+ |
SOIC-8 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP-8 |
500690 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
SOIC-8150mil |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+23+ |
SOIC |
13970 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR/國(guó)際整流器 |
21+ |
SOIC-8 |
10000 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
19+ |
SOP-8 |
74763 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) |
