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IRF830B中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF830B
廠商型號(hào)

IRF830B

功能描述

Reduced capacitive switching losses

文件大小

296.71 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-24 18:12:00

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IRF830B規(guī)格書詳情

FEATURES

? Optimal design

- Low area specific on-resistance

- Low input capacitance (Ciss)

- Reduced capacitive switching losses

- High body diode ruggedness

- Avalanche energy rated (UIS)

? Optimal efficiency and operation

- Low cost

- Simple gate drive circuitry

- Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg

- Fast switching

? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Consumer electronics

- Displays (LCD or plasma TV)

? Server and telecom power supplies

- SMPS

? Industrial

- Welding

- Induction heating

- Motor drives

? Battery chargers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF830B

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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