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IRF830FI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=3.0A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max) ?FastSwitchingSpeed ?SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ?Desingedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF830FP

POWERMOSFET

GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

IRF830FP

4.5A500VNCHANNELPOWERMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

IRF830I-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercialindustrialthroughholeapplications. ▼EaseofParalleling ▼FastSwitchingChar

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

IRF830L

PowerMOSFET

FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF830LPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF830PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF830PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF830PBF

5.0A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

IRF830PBF

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent APPLICATIONS ?Switchmodepowersupply(SMPS) ?Uninterruptiblepowersupply ?Highspee

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF830ASTRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBsemi(臺灣微碧)
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800個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長
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D2PAK
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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VBSEMI
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TO-263
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原裝正品，支持實單
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Vishay Siliconix
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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TO263
60000
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更多IRF830ASTRL供應商 更新時間2025-6-26 11:01:00

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