IRF7607中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7607規(guī)格書詳情
Description
New trench HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The new Micro8?package has half the footprint area of the standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● N-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7607
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
560 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
MOT |
23+ |
NA |
6500 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
N/A |
24+ |
MSOP8 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
MSOP8 |
20000 |
全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！ |
詢價 | ||
IR |
1742+ |
MSOP8 |
98215 |
只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
MICRO8 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
MSOP8 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
60000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
MSOP8 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
MSOP8 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 |
