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IRF7319

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRF

International Rectifier

IRF7319

絲印：IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: eVos(v)=30V ?Rosony)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF7319

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: Vos(v)=30V Rosoy(on)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7319

30V 單個(gè) N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET， 采用 SO-8 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 雙 N 通道和 P 通道 MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF7319PBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRF

International Rectifier

IRF7319TR

絲?。?strong>IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: eVos(v)=30V ?Rosony)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF7319TR

絲?。?strong>IRF7319；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: Vos(v)=30V Rosoy(on)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7319TRPBF

GenarafionV Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRF

International Rectifier

IRF7319PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF7319PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRF7319TRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    SO8

  • VDS max：

    30 V

  • RDS (on) @10V max：

    29 m?/58 m?

  • RDS (on) @4.5V max：

    46 m?/98 m?

  • ID @25°C max：

    6.5 A/-4.9 A

  • QG typ @10V：

    22 nC/23 nC

  • Polarity：

    N+P

  • VGS(th) min：

    -1 V/1 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

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更多IRF7319供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:00:00

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