IRF331分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRF331 |
| 參數(shù)屬性 | IRF331 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
208.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
SAMSUNG【三星】 |
| 中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-3 22:58:00 |
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IRF331規(guī)格書詳情
FEATURES
● Low RDS(on)
● Improved inductive ruggedness
● Fast switching times
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Low Input capacitance
● Extended safe operating area
● Improved high temperature reliability
● TO-3 package (Standard)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRF3314STRR
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型：
N 通道
- 技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- Vgs（最大值）：
±20V
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 描述：
MOSFET N-CH 150V D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO220 |
6000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
KOREA |
24+ |
金封TO-3P |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
M |
TO-3 |
1 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-263(D |
7300 |
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
25+ |
25000 |
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詢價 | |||
HARRIS |
06+ |
原廠原裝 |
4235 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
A/N |
1715+ |
SOP |
251156 |
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
2015+ |
TO-3(鐵帽) |
19889 |
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詢價 |
