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IRF2807Z中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF2807Z
廠商型號

IRF2807Z
功能描述

AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology
文件大小

4.64052 Mbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-6-23 10:59:00
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IRF2807Z規(guī)格書詳情

Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Features

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

產品屬性

  • 型號：

    IRF2807Z

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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