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IPD30N06S2L-13

N-Channel MOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD30N06S2L-13

20V-650V汽車(chē)級(jí)MOSFET; ? N-channel Logic Level - Enhancement mode\n ? Automotive AEC Q101 qualified\n ? MSL1 up to 260°C peak reflow\n ? 175°C operating temperature\n ? Green package (lead free)\n ? Ultra low Rds(on)\n ? 100% Avalanche tested\n\n優(yōu)勢(shì):\n? world's lowest RDS at 55V (on)? in planar technology\n ? highest current capability\n ? lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n ? robust packages with superior quality and reliability\n ? Optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N06S2L-13

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N06S2L-13

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPD30N06S2L13ATMA4

  • Qualification：

    Automotive

  • Package name：

    DPAK (PG-TO252-3)

  • VDS max：

    55 V

  • RDS (on) @10V max：

    13 m?

  • ID @25°C max：

    30 A

  • QG typ @10V：

    54 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    1.2 V

  • VGS(th) max：

    2 V

  • Technology：

    OptiMOS?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
英飛凌
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更多IPD30N06S2L-13供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-4-11 18:15:00

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