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IPB80N04S2-H4

20V-650V汽車級MOSFET; ? N-channel - Enhancement mode\n ? Automotive AEC Q101 qualified\n ? MSL1 up to 260°C peak reflow\n ? 175°C operating temperature\n ? Ultra low Rds(on)\n ? 100% Avalanche tested\n ? Green product (RoHS compliant)\n\n優(yōu)勢:\n? world's lowest RDS at 40V (on)\n ? highest current capability\n ? lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n ? robust packages with superior quality and reliability\n ? Optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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OptiMOS? Power-Transistor

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OptiMOS Power-Transistor

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IPB80N04S2-H4_08

OptiMOS Power-Transistor

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INFINEON
TO-263

InfineonInfineon Technologies AG

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相關(guān)企業(yè)：深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPB80N04S2H4ATMA2

  • Qualification：

    Automotive

  • Package name：

    D2PAK (PG-TO263-3)

  • VDS max：

    40 V

  • RDS (on) @10V max：

    3.7 m?

  • ID @25°C max：

    80 A

  • QG typ @10V：

    103 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2.1 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • Technology：

    OptiMOS?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IPB80N04S2-H4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 20:00:00

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