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IMYH200R012M1H

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact)

Features ?Single-channelisolatedgatedriver ?Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs ?Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent ?45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) ?35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage ?Highcommon-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMYH200R012M1H

Marking：20M1H012；Package：PG-TO247-4-PLUS-NT14；CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=123AatTc=25°C ?RDS(on)=12mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IMYH200R012M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-4 17:27:00

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