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IMT65R163M1H

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r163m1/marking.html">65R163M1；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

InfineonInfineon Technologies AG

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IMT65R163M1H

碳化硅 MOSFET 單管; \n優(yōu)勢:\n? Enable high system power density and high switching operations\n? Enable cheaper and faster SMD assembly\n? Ease of use and compatibility with existing vendors\n? Reduced switching losses\n? Lower case temperature and higher reliability\n? Enables easy design-in with complementing Infineon products like?CoolMOS??and?CoolGaN?\n;

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IMT65R163M1HXUMA1

Package：8-PowerSFN；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：SILICON CARBIDE MOSFET

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IMBG65R163M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IMT65R163M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:43:00

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