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IMT65R022M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IMT65R022M1H
廠商型號(hào)

IMT65R022M1H

參數(shù)屬性

IMT65R022M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:SILICON CARBIDE MOSFET

功能描述

MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device
SILICON CARBIDE MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

65R022M1

封裝外殼

PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN

文件大小

1.52403 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-25 23:00:00

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IMT65R022M1H規(guī)格書詳情

IMT65R022M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMT65R022M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Optimized switching behavior at higher currents

? Commutation robust fast body diode with low Qf

? Superior gate oxide reliability

? Tj,max=175°C and excellent thermal behavior

? Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

? Increased avalanche capability

? Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)

? Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IMT65R022M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    CoolSiC?

  • 包裝:

    管件

  • 技術(shù):

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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