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IMT40R036M2H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IMT40R036M2H
廠商型號

IMT40R036M2H

功能描述

CoolSiC? 400V CoolSiC? G2 MOSFET

絲印標識

40R036M2

封裝外殼

PG-HSOF-8

文件大小

1.26056 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-22 13:01:00

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IMT40R036M2H規(guī)格書詳情

Features

? Ideal for high frequency switching and synchronous rectification

? Commutation robust fast body diode with low Qfr

? Low RDS(on) dependency on temperature

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V

? Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V

? .XT interconnection technology for best?in?class thermal performance

? 100% avalanche tested

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT23-6
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23+
SOT-363
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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DIODES/美臺
23+
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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