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IAUCN04S7N056D中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IAUCN04S7N056D
廠商型號

IAUCN04S7N056D

功能描述

Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor

絲印標(biāo)識

7N4N056D

封裝外殼

PG-TDSON-8-61

文件大小

2.99957 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-22 14:02:00

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IAUCN04S7N056D規(guī)格書詳情

Features

? OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications

? N-channel – Enhancement mode – Normal Level

? Extended qualification beyond AEC-Q101

? Enhanced electrical testing

? Robust design

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? RoHS compliant

? 100% Avalanche tested

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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