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IRF1010NL	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NL	文件：1.07508 Mbytes Page：10 Pages	FullyAvalancheRated Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010NLPBF	文件：297.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NPBF	文件：182.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NPBF	文件：3.0715 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010NPBF	文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NS	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
HPR1010C
功能描述：
DC/DC轉(zhuǎn)換器 1W UNREG 12V +/-12V
RoHS：
否
制造商：
Murata
輸入電壓范圍：
3.6 V to 5.5 V
輸出端數(shù)量：
1 輸出電壓（通道
1）：
3.3 V 輸出電流（通道
1）：
600 mA 輸出電壓（通道
2）：
輸出電流（通道
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	HPR1010C	MURATA/村田	25+	全新-電源模塊	10238	MURATA/村田電源模塊HPR1010C交期短價(jià)格好#即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	HPR1010C	MURATA	12+	DIP	975	絕對原廠進(jìn)口穩(wěn)壓模塊/特價(jià)現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HPR1010C	MURATA/村田	23+	SIP	38668	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市恒佳微電子有限公司	HPR1010C	MURATA/村田	2021+	SIP	11000	十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)
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標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司	HPR-1011	HPR-1011		1	1		詢價(jià)
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深圳市賽爾通科技有限公司	HPR1018	C&DTECH	23+		65480		詢價(jià)

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