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IRFF112

PowerMOSField-EffectTransistors

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

IRFF112

IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE

TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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JST
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連接器
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更多HLS112A供應(yīng)商 更新時間2025-7-3 10:09:00

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