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MCH6603

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

MCH6603

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting ?Halogenfreeconplaiance

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

MCH6603-TL-H

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

MCH6603-TL-H

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting ?Halogenfreeconplaiance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MT6603

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NAS6603

BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

NAS6603

NATIONALAEROSPACESTANDARD

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

PJS6603

30VComplementaryEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJS6603

30VComplementaryEnhancementModeMOSFET

Features ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJS6603-AU

30VComplementaryEnhancementModeMOSFET

Features ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. ?AEC-Q101qualified ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    HIP6603BCB-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6603BCB-T供應商 更新時間2025-5-23 11:22:00

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