H11F1M隔離器的光隔離器-晶體管光電輸出規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
H11F1M |
| 參數(shù)屬性 | H11F1M 封裝/外殼為6-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝為管件；類別為隔離器的光隔離器-晶體管光電輸出；產(chǎn)品描述：OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
| 功能描述 | H11F1M, H11F2M, H11F3M Photo FET Optocouplers |
| 封裝外殼 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 文件大小 |
2.07738 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-23 10:24:00 |
| 人工找貨 | H11F1M價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
H11F1M規(guī)格書詳情
General Description
The H11FXM series consists of a Gallium-Aluminum Arsenide IRED emitting diode coupled to a symmetrical bilateral silicon photo-detector. The detector is electrically isolated from the input and performs like an ideal isolated FET designed for distortion-free control of low level AC and DC analog signals. The H11FXM series devices are mounted in dual in-line packages.
Features
As a remote variable resistor:
■≤100?to ≥300M?
■≥99.9 linearity
■≤15pF shunt capacitance
■≥100G?I/O isolation resistance
As an analog switch:
■Extremely low offset voltage
■60 Vpk-pksignal capability
■No charge injection or latch-up
■ton, toff≤15μS
■UL recognized (File #E90700)
Applications
As a remote variable resistor:
■Isolated variable attenuator
■Automatic gain control
■Active filter fine tuning/band switching As an analog switch:
■Isolated sample and hold circuit
■Multiplexed, optically isolated A/D conversion
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
H11F1M
- 制造商：
onsemi
- 類別：
隔離器 > 光隔離器 - 晶體管，光電輸出
- 包裝：
管件
- 電壓 - 隔離：
7500Vpk
- 接通 / 關(guān)斷時(shí)間（典型值）：
45μs，45μs（最大）
- 輸入類型：
DC
- 輸出類型：
MOSFET
- 電壓 - 輸出（最大值）：
30V
- 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
- 工作溫度：
-40°C ~ 100°C
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
6-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-DIP
- 描述：
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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