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H11D3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H11D3
廠商型號

H11D3

功能描述

Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, High BVCEO Voltage

文件大小

196.19 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-20 23:32:00

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H11D3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Very high collector emitter breakdown voltage?

BVCEO = 300 V

? Isolation test voltage: 5000 VRMS

? Low coupling capacitance

? High common mode transient immunity

? Material categorization:?

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

AGENCY APPROVALS

? UL1577

? cUL1577

? DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5) available with option 1

APPLICATIONS

? Telecom

? Industrial controls

? Battery powered equipment

? Office machines

? Programmable controllers

DESCRIPTION

The H11Dx has a GaAs infrared emitting diode emitter,

which is optically coupled to a silicon planar phototransistor

detector, and is incorporated in a plastic DIP-6 package.

It features a high current transfer ratio, low coupling

capacitance, and high isolation voltage.

The coupling device is designed for signal transmission

between two electrically separated circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    H11D3

  • 功能描述:

    晶體管輸出光電耦合器 HV Phototransistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型:

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓:

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:

    0.4 V

  • 絕緣電壓:

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓:

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流:

    60 mA

  • 最大集電極電流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作溫度:

    + 110 C

  • 最小工作溫度:

    - 55 C

  • 封裝/箱體:

    DIP-4

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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