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HZ11A1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

Features ?Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. ?Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZS11A1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZU11A1L

SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

LWTN-11A1

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

LWTN-11A1SLASHQ

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

RKZ11A1KD

SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

Features ?Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. ?Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

XBR11A1-G

Single-PhaseBridgeRectifier

TOREXTorex Semiconductor

特瑞仕特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    H11A1TM

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
harris
16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢
 詢價(jià)
FAIRCILD
22+
DIP-6
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
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E-PKG AXIAL-LEADED GLASS DIODE
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多H11A1TM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-13 10:05:00

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