GT52N10T中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
GT52N10T |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-220 |
文件大小 |
990.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
企業(yè)簡稱 |
GOFORD【谷峰半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-7-8 17:10:00 |
人工找貨 | GT52N10T價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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GT52N10T規(guī)格書詳情
Description
The GT52N10T uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide
variety of applications.
Application
l Power switch
l DC/DC converters
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HIROSE |
23+ |
NA |
90000 |
一定原裝深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
HIROSE/廣瀨 |
2508+ |
/ |
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HRS/廣瀨 |
2407+ |
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