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ISB3080

SiliconNPNPowerTransistor

FEATURES ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=60V(Min) ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·DesignedforDC-DCconverter,emergencylighting inverterandgeneralpurposeapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多GPCD3080A-NNNV-C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:35:00