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GD25Q16CZJG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易創(chuàng)新北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司

HM25Q16A

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM25Q16B

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM25Q16C

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

P25Q16L

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IR

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IT

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IW

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-IY

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

P25Q16LA-NXH-KR

UltraLowPower,16M-bit

2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GD25Q16CNIGR

  • 制造商：

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量：

    16Mb（2M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    SPI - 四 I/O

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    50μs，2.4ms

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-USON（4x3）

  • 描述：

    IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
GD/兆易創(chuàng)新
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QFN
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更多GD25Q16CNIGR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-25 17:00:00

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