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FQP50N06L

60V LOGIC N-Channel MOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP50N06L

功率 MOSFET，N 溝道，邏輯電平，QFET?，60 V，52.4 A，21 m?，TO-220; ?52.4A, 60V, RDS(on)= 21mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 26.2A柵極電荷低（典型值：24.5nC)\n?低 Crss（典型值90pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?175°C最大結(jié)溫額定值\"\n? 175°C maximum junction temperature rating\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)電源應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQPF50N06

60VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?32.6A,60V,RDS(on)=0.021?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical24.5nC) ?LowCrss(typical90pF) ?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF50N06

60VN-ChannelMOSFET

DESCRIPTION TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

FQPF50N06

60VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    60

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    2.5

  • ID Max (A)：

    52.4

  • PD Max (W)：

    121

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    21

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    24.5

  • Ciss Typ (pF)：

    1250

  • Package Type：

    TO-220-3

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更多FQP50N06L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 15:01:00

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