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FQD7N30

300V N-Channel MOSFET

300VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD7N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQD7N30

功率 MOSFET,N 溝道,QFET?, 300 V,5.5 A,700 mΩ,DPAK; ?5.5A,300V,RDS(on)= 700mΩ(最大值)(VGS = 10 V 且 ID = 2.75A 時)\n?低柵極電荷(典型值 13nC)\n?低 Crss(典型值 12pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n;

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導體?的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。 這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FQI7N30

300VN0ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQU7N30

300VN-ChannelMOSFET

300VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQU7N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KSMD7N30

300VN-CHANNELMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    300

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    5.5

  • PD Max (W):

    50

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    700

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    13

  • Ciss Typ (pF):

    470

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-252
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FAIRCHILD/仙童全新現(xiàn)貨FQD7N30即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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