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FQB7N60

600V N-Channel MOSFET

TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQB7N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=57A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.023Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQB7N60

N 溝道 QFET? MOSFET 600V,7.4A,1?; ?7.4A, 600V, RDS(on)= 1.0Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3.7A柵極電荷低(典型值:29nC)\n?低 Crss(典型值16pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試\n?100% avalanche tested\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQB7N60

N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQB7N60TM

N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQB7N60TMWS

N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    7.4

  • PD Max (W):

    142

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1000

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    29

  • Ciss Typ (pF):

    1100

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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全新原裝公司現(xiàn)貨低價(jià)
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更多FQB7N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:31:00