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FQA7N80C_F109

Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 800 V, 7 A, 1.9 ?, TO-3P

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。; ?7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A柵極電荷低（典型值：27nC)\n?低 Crss（典型值10pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQA7N80C_F109

800V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

FQA7N80C_F109

800V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

FQA7N80C-F109

N 溝道 QFET? MOSFET 800V, 7.0A, 1.9?

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。; ?7A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.5A柵極電荷低（典型值：27nC)\n?低 Crss（典型值10pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliant\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQA90N15

仙童
TO-3P

仙童

技術(shù)參數(shù)

  • Compliance：

    Pb-freeHalide free

  • Status：

    ?Active??

  • Description：

    ?N-Channel QFET? MOSFET 800V

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    ?

  • V(BR)DSS Min (V)：

    800

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    7

  • PD Max (W)：

    198

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    1900

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    27

  • Ciss Typ (pF)：

    1290

  • Package Type：

    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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原裝正品 可含稅交易
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更多FQA7N80C_F109供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 14:00:00

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