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TK8A60DA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK8A60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

WTD8A60

Bi-DirectionalTriodeThyristor

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WTF8A60-S

Bi-DirectionalTriodeThyristor

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

WTPB8A60CW

Bi-DirectionalTriodeThyristor

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

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WTPB8A60TW

Bi-DirectionalTriodeThyristor

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

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更多FE8A60F供應(yīng)商 更新時間2025-6-11 14:02:00

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