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FDS4435中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS4435
廠商型號

FDS4435

功能描述

P-Channel Logic Level PowerTrench??OSFET

文件大小

264.93 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-24 22:58:00

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FDS4435規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Features

? –9 A, –30 V. RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = -10 V

RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS = -4.5 V

? Low gate charge (21nC typical)

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS4435

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 P-CH -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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