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FDN352AP

P-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-1.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

FDN352AP

絲印：52AP；Package：SOT-23；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Features ■–1.3A,–30VRDS(ON)=180mΩ@VGS=–10V –1.1A,–30VRDS(ON)=300mΩ@VGS=–4.5V ■Highperformancetrenchtechnologyforextremelylow RDS(ON). ■HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. Identicalpin-outtoSOT-23with30higherpowerhandling capability.

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

FDN352AP

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/52ap/marking.html">52AP；Package：SOT-23；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

GeneralDescription Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageandbatterypowered applicationswherelowin-linepowerlossisneededina verysmalloutlinesurfacemountpackage. Features ■–1.3A,–30VRDS(ON)=180mΩ@VGS=–10V –1.1A,–30VRDS(ON)=300mΩ@VGS=–4.5V ■High

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN352AP

Single P-Channel, PowerTrench

GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ■–1.3A,–30

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDN352AP

單 P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ; ?-1.3A，-30V\n?RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = -10V\n?-1.1A，-30V\n?RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = -4.5V\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率版本的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝。 相同的SOT-23引腳，可將功率處理能力提高30%。\n;

此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中實(shí)現(xiàn)低線內(nèi)功率損耗的低電壓和電池供電應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDN352AP

Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDN352AP-HF

P-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-1.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

FDN352AP_0508

Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDN352AP-3

P-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

FDN352AP-HF-3

P-Channel MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -30

  • VGS Max (V)：

    25

  • VGS(th) Max (V)：

    -2.5

  • ID Max (A)：

    -1.3

  • PD Max (W)：

    0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    180

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    1.4

  • Ciss Typ (pF)：

    150

  • Package Type：

    SOT-23-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FAIRCHILD
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SOT23
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更多FDN352AP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:10:00

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