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FDC8886

30V N溝道PowerTrench? MOSFET; ?VGS = 10 V,ID = 6.5 A時,最大rDS(on) = 23mΩ\n?VGS = 4.5 V,ID = 6.0 A時,最大rDS(on) = 36mΩ\n?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)\n?快速開關(guān)速度\n?符合RoHS標準\n;

此N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn),這一先進工藝已針對rDS(on)開關(guān)性能進行了優(yōu)化。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDC8886

N-Channel Power Trench? MOSFET 30 V, 6.5 A, 23 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

PDRV8886ATRHRR

2-AStepperMotorDriverWithIntegratedCurrentSenseandAutoTuneTechnology

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

RT8886A

2-PhaseControllerwithDualIntegratedDrivers

RichTekRichtek Technology Corporation

立锜科技立锜科技股份有限公司

RT8886AGQW

2-PhaseControllerwithDualIntegratedDrivers

RichTekRichtek Technology Corporation

立锜科技立锜科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    6.5

  • PD Max (W):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    36

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    23

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    2.5

  • Ciss Typ (pF):

    348

  • Package Type:

    TSOT-23-6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FDC8886供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 17:06:00