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KTC2025D

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KTC2025L

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWFREQUENCYPOWERAMP,MEDIUMSPEEDSWITCHING)

LOWFREQUENCYPOWERAMP, MEDIUMSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES ?HighbreakdownvoltageVCEO120V,highcurrent1A. ?LowsaturationvoltageandgoodlinearityofhFE. ?ComplementarytoKTA1045D/L

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KTC2025L

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ECS-2025-C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:48:00

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