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DS126

Mid power solution

LUMILEDSLumileds Lighting Company

飛光半導(dǎo)體

DS1260

Smart Battery

DESCRIPTION TheDS1260SmartBatteryisalow-cost,backupenergysupplyforportableandnonvolatileelectronicequipment.Alithiumenergysourceofupto1amphourcansupplypowertoCMOSelectroniccircuitswhenprimarypowerislostthroughanintelligentandefficientswitch.Whenpoweris

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1260-100

Smart Battery

DESCRIPTION TheDS1260SmartBatteryisalow-cost,backupenergysupplyforportableandnonvolatileelectronicequipment.Alithiumenergysourceofupto1amphourcansupplypowertoCMOSelectroniccircuitswhenprimarypowerislostthroughanintelligentandefficientswitch.Whenpoweris

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1260-25

Smart Battery

DESCRIPTION TheDS1260SmartBatteryisalow-cost,backupenergysupplyforportableandnonvolatileelectronicequipment.Alithiumenergysourceofupto1amphourcansupplypowertoCMOSelectroniccircuitswhenprimarypowerislostthroughanintelligentandefficientswitch.Whenpoweris

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1260-50

Smart Battery

DESCRIPTION TheDS1260SmartBatteryisalow-cost,backupenergysupplyforportableandnonvolatileelectronicequipment.Alithiumenergysourceofupto1amphourcansupplypowertoCMOSelectroniccircuitswhenprimarypowerislostthroughanintelligentandefficientswitch.Whenpoweris

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1265AB

8M Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12658MNonvolatileSRAMsare8,388,608-bit,fullystaticnonvolatileSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1265AB

8M非易失SRAM; ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護\n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作\n? 70ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1265Y) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)\n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND;

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。\n\n

ADIAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1265W

3.3V、8Mb非易失SRAM; ? 在沒有外部電源時下最少可以保存數(shù)據(jù)10年 \n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護 \n? 沒有寫次數(shù)限制 \n? 低功耗CMOS操作 \n? 100ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài) \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍;

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

ADIAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1265W

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1265W-100

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Memory Type：

    NV SRAM

  • Memory Size：

    1M x 8

  • Bus Type：

    Parallel

  • Features：

    DIP with Internal Battery

  • VSUPPLY (min)(V)：

    4.75

  • VSUPPLY (max)(V)：

    5.25

  • RoHS Available：

    See Data Sheet

  • Oper. Temp.(°C)：

    -40 to +85

  • Package/ Pins：

    MOD/36

  • Budgetary Price (See Notes)：

    $81.91 @1k

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更多DS126供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:30:00

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