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DMP3013SFV

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; ?Low RDS(ON) – ensures on-state losses are minimized\n?Small form factor thermally efficient package enables higher density end products\n?Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product\n?ESD Protected Gate\n;

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMP3013SFV

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMP3013SFV-13

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMP3013SFV-7

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

DMP3013SFV-13

DIODES/美臺(tái)
PowerDI 3333-8

DIODES/美臺(tái)

相關(guān)企業(yè)：深圳市納睿斯電子科技有限公司

DIODES/美臺(tái)

技術(shù)參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    No

  • Polarity：

    P

  • ESD Diodes：

    Yes

  • VDS：

    30 V

  • VGS：

    25 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    12 A

  • PD @ TA = +25°C：

    1.94 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    9.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    17 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    33.7 nC

  • Packages：

    PowerDI3333-8 (Type UX)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
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PowerDI3333-8(TypeUX
90000
正規(guī)代理渠道假一賠十
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DIODES/美臺(tái)
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POWERDI3333-8
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更多DMP3013SFV供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:20:00

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