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DMN3032LE

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate?resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching?performance, making it ideal for high efficiency power management?applications.

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導體

DMN3032LE

Low On-Resistance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMN3032LE_15

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMN3032LE-13

Low On-Resistance

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

DMN3110LCP3-7

DIODES/美臺
X2-DSN1006-3

DIODES/美臺

相關企業(yè)：深圳市納睿斯電子科技有限公司

DIODES/美臺

技術參數(shù)

  • Automotive Compliant PPAP：

    On Request*

  • Polarity：

    N

  • ESD Diodes：

    No

  • VDS：

    30 V

  • VGS：

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C：

    5.6 A

  • PD @ TA = +25°C：

    1.8 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：

    29 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：

    35 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max：

    2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：

    11.3 nC

  • Packages：

    SOT223

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DIODES
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更多DMN3032LE供應商 更新時間2025-7-30 18:45:00

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