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CSD88539ND

采用 SO-8 封裝的雙路、28mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 雪崩額定值\n? 無鉛\n? 符合 RoHS 環(huán)保標準\n? 無鹵素;

這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被設計運行為低電流電機控制應用中的半橋。 頂視圖 RθJA = 60°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅過渡墊片上測得的典型值脈沖持續(xù)時間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD88539ND

Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

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CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TITexas Instruments

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Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

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Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

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技術參數

  • Configuration：

    Dual

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    28

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    46

  • QG typ (nC)：

    14

  • QGD typ (nC)：

    2.3

  • Package (mm)：

    SO-8

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    11.7

  • ID - package limited (A)：

    15

  • Logic level：

    No

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CSD88539ND供應商 更新時間2025-7-28 14:07:00

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